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STD90N03L	文件：314.24 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 30V - 0.005廓 - 80A - DPAK/IPAK STripFET??III Power MOSFET Description This device utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(on)*Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses reduce 文件：314.24 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD90N03L	文件：1.00331 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00331 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD90N03L-1	文件：314.24 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 30V - 0.005廓 - 80A - DPAK/IPAK STripFET??III Power MOSFET Description This device utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. General features ■ RDS(on)*Qg industry’s benchmark ■ Conduction losses reduce 文件：314.24 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD90N03L-1	文件：996.77 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：996.77 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD90N03L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30V - 0.005Ω - 80A - DPAK/IPAK STripFET™ III Power MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STD90N03L
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD90N03L供应商更新时间2026-2-1 14:01:00

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