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深圳市得捷芯城科技有限公司

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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STD826T4

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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STD826T4

ST/意法SOT-252

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深圳市南科功率半导体有限公司

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STD826T4

NK/南科功率TO-252

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STD826T4MOS(场效应管)

ST/意法TO-252

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STD826T4MOS(场效应管)

ST/意法TO-252

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STD826T4MOS(场效应管)

ST/意法TO-252

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STD826T4

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STD826T4

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STD826T4功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 3A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

产品属性

  • 产品编号：

    STD826T4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.1V @ 150mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • 供应商器件封装：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 3A DPAK

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