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STD840DN40分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

STD840DN40
厂商型号

STD840DN40

参数属性

STD840DN40 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

功能描述

Dual NPN high voltage transistors in a single package
TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

丝印标识

D840DN40

封装外壳

DIP-8 / 8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

115.48 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 17:43:00

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STD840DN40规格书详情

STD840DN40属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由意法半导体集团制造生产的STD840DN40晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STD840DN40

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    4A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    400V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    250µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 2A,5V

  • 功率 - 最大值:

    3W

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-DIP

  • 描述:

    TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

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