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STD80N4F6中文资料杜因特数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD80N4F6

功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.25587 Mbytes

页面数量

4

生产厂商

DOINGTER

中文名称

杜因特

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    STD80N4F6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
25+
DPAK
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
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