STD7NM60N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD7NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs realized using the second generation of MDmeshTM technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STD7NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST专家 |
DPAK |
23500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST |
2430+ |
TO252-3 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO252 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
STM |
1930+ |
TO252 |
606 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 |
