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STD7NM60N	文件：885.94 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsrealizedusingthesecondgenerationofMDmeshTMtechnology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistance,l	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD7NM60N	文件：324.89 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF7NM60N	文件：310.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF7NM60N	文件：885.94 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,5A,0.84ohm,DPAK,TO-220FP,TO-220,IPAKsecondgenerationMDmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsrealizedusingthesecondgenerationofMDmeshTMtechnology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistance,l	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL7NM60N	文件：786.66 Kbytes Page：13 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge,Lowgateinputresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NM60N	文件：885.94 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,5A,0.84ohm,DPAK,TO-220FP,TO-220,IPAKsecondgenerationMDmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsrealizedusingthesecondgenerationofMDmeshTMtechnology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistance,l	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NM60N	文件：320.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=900mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingapp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU7NM60N	文件：333.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU7NM60N	文件：885.94 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,5A,0.84ohm,DPAK,TO-220FP,TO-220,IPAKsecondgenerationMDmeshPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsrealizedusingthesecondgenerationofMDmeshTMtechnology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistance,l	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD7NM60N
功能描述：
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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