STU7NM60N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STU7NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs realized using the second generation of MDmeshTM technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STU7NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-251-3 |
6004 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO-251 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
IPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
原装ST |
19+ |
TO-251 |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-251-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-251-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 |
