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STD7NB20中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD7NB20

功能描述

N-CHANNEL 200V - 0.3ohm - 7A DPAK/IPAK PowerMESH??MOSFET

文件大小

488.02 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 23:00:00

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STD7NB20规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.3 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL

APPLICATIONS

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT

产品属性

  • 型号:

    STD7NB20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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