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STD845DN40分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STD845DN40 |
| 参数属性 | STD845DN40 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP |
| 功能描述 | Dual NPN high voltage transistors in a single package |
| 封装外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 文件大小 |
135.3 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-9 17:45:00 |
| 人工找货 | STD845DN40价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD845DN40规格书详情
STD845DN40属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由意法半导体集团制造生产的STD845DN40晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
产品属性
更多- 产品编号：
STD845DN40
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
12 @ 2A，5V
- 功率 - 最大值：
3W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-DIP
- 描述：
TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
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ST(意法半导体) |
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ST/意法半导体 |
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N |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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