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STD815CP40	文件：195.21 Kbytes Page：11 Pages	Complementary transistor pair in a single package Description TheSTD815CP40isahybridcomplementarypairofpowerbipolartransistorsmanufacturedbyusingthehighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. TheSTD815CP40ishousedindualislandDIP-8packagewithseparatedterminals	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STD815CP40

文件：195.21 Kbytes

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Complementary transistor pair in a single package

Description TheSTD815CP40isahybridcomplementarypairofpowerbipolartransistorsmanufacturedbyusingthehighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. TheSTD815CP40ishousedindualislandDIP-8packagewithseparatedterminals

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STD815CP40

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP

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产品属性

产品编号：
STD815CP40
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
16 @ 350mA，5V
功率 - 最大值：
2.6W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-DIP
描述：
TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP

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