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STD815CP40中文资料Complementary transistor pair in a single package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STD815CP40 |
| 参数属性 | STD815CP40 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP |
| 功能描述 | Complementary transistor pair in a single package |
| 封装外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 9:38:00 |
| 人工找货 | STD815CP40价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD815CP40规格书详情
简介
STD815CP40属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的STD815CP40晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号：
STD815CP40
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1.5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，350mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
16 @ 350mA，5V
- 功率 - 最大值：
2.6W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-DIP
- 描述：
TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
DIP |
50000 |
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ST |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
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ST/意法 |
24+ |
DIP8 |
23000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
DIP |
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询价 | ||
ST |
23+ |
DIP-8 |
50000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
8-DIP(0.300 7.62mm) |
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询价 | ||
ST |
25+ |
DIP |
10000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
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原厂原包装 |
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