STD80N6F6中文资料汽车级N沟道60 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N6F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD80N6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.005
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：120
- Qg_typ(nC)
：147
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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询价 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
DPAK |
39500 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
17500 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST(意法) |
25+ |
N/A |
18798 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 |
