STD80N3LL中文资料N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N3LL规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
:STD80N3LL
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
:0.0065
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0052
- Drain Current (Dc)_max(A)
:120
- PTOT_max(W)
:133
- Qg_typ(nC)
:40
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1618 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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ST/意法 |
23+ |
TO252 |
25000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO252 |
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原装正品,支持实单! |
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MO&U/嘉盟业 |
24+ |
TO-252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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原装 |
25+ |
TO-252 |
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ST |
24+ |
TO252 |
25836 |
新到现货,只做全新原装正品 |
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ST/意法 |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |