STD80N3LL中文资料N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N3LL规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD80N3LL
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0065
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0052
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：133
- Qg_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
21000 |
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原装 |
25+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
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TO252 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST/意法 |
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TO252 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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