STD80N3LL中文资料N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD80N3LL规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD80N3LL
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0065
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0052
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：133
- Qg_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
25000 |
只做进口原装假一罚百 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO252 |
1618 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
13874 |
只做正品 |
询价 | ||||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 |
