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STD80N3LL数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STD80N3LL

功能描述

N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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STD80N3LL规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STD80N3LL

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.0065

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0052

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :120

  • PTOT_max(W)

    :133

  • Qg_typ(nC)

    :40

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