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STD830CP40	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary transistor pair in a single package The STD830CP40 is a hybrid complementary pair of power bipolar transistors manufactured by using the high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.\nThe STD830CP40 is housed in dual island DIP-8 package with separated terminals for higher asse Low V\nCE(sat)\nSimplified circuit design\nReduced component count\nLow spread of dynamic parameters;	ST 意法半导体	ST
STD830CP40	文件：166.23 Kbytes Page：10 Pages	Complementary transistor pair in a single package Description The STD830CP40 is a hybrid complementary pair of power bipolar transistors manufactured by using the high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. The STD830CP40 is housed in dual island DIP-8 package with separated terminals 文件：166.23 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD830CP40	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD888T4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	ST 上传：深圳市金芯阳科技有限公司	ST
STD-MUD-2	文件：0 bytes Page：0 Pages		NDK 金属工业上传：天津市博通航睿技术有限公司	NDK

产品属性

产品编号：
STD830CP40
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
18 @ 700mA，5V
功率 - 最大值：
3W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-DIP
描述：
TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP

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