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STD830CP40数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
STD830CP40 |
| 参数属性 | STD830CP40 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP |
| 功能描述 | Complementary transistor pair in a single package |
| 封装外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STD830CP40规格书详情
描述 Description
The STD830CP40 is a hybrid complementary pair of power bipolar transistors manufactured by using the high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.
The STD830CP40 is housed in dual island DIP-8 package with separated terminals for higher assembly flexibility, specifically recommended to be used in a new solution for compact fluorescent lamp (CFL).
特性 Features
Low V
CE(sat)
Simplified circuit design
Reduced component count
Low spread of dynamic parameters
简介
STD830CP40属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的STD830CP40晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号：
STD830CP40
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
18 @ 700mA，5V
- 功率 - 最大值：
3W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-DIP
- 描述：
TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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