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STD10PF06T4	文件：299.15 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripFET??II POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarka 文件：299.15 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD10PF06T4	文件：989.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：989.14 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
D10PF06	文件：990.1 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：990.1 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD10PF06	文件：299.15 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarka 文件：299.15 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD10PF06	文件：85.72 Kbytes Page：8 Pages	P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarka 文件：85.72 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD10PF06T
功能描述：
MOSFET P-Ch 60 Volt 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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