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STD10PF06	文件：85.72 Kbytes Page：8 Pages	P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10PF06	文件：299.15 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10PF06-1	文件：299.15 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10PF06T4	文件：299.15 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripFET??II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10PF06-1	文件：939.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD10PF06T4	文件：989.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
D10PF06	文件：990.1 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD10PF06
功能描述：
MOSFET P-Ch 60 Volt 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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