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STD11NM50N	文件：675.27 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 500 V, 0.4, 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD11NM50N	文件：663.06 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 500 V, 0.4 廓, 8.5 A MDmesh??II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD11NM50N	文件：250.6 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF11NM50N	文件：310.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF11NM50N	文件：675.27 Kbytes Page：16 Pages	N-channel500V,0.4,8.5AMDmeshIIPowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandTO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP11NM50N	文件：1.035089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP11NM50N	文件：675.27 Kbytes Page：16 Pages	N-channel500V,0.4,8.5AMDmeshIIPowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandTO-220 Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD11NM50N
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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