首页>STD11NM50N>规格书详情
STD11NM50N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD11NM50N规格书详情
描述 Description
These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STD11NM50N
- 功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-252 |
14898 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
TO-252-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ST专家 |
DPAK |
23500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
STN |
2526+ |
原厂封装 |
2497 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 |
