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STD11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD11N65M2	文件：344.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.68Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF11N65M2	文件：741.12 Kbytes Page：15 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI11N65M2	文件：741.12 Kbytes Page：15 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFU11N65M2	文件：454.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channel650V,0.60typ.,7AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP11N65M2	文件：298.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.68Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU11N65M2	文件：317.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.68Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STD11N65M2	STMicroelectronics	24+	DPAK	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	STD11N65M2	ST	23+	TO252	6996	只做原装正品现货	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	STD11N65M2	ST/意法半导体	22+	TO-252-3	6007	原装正品现货可开增值税发票	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	STD11N65M2	STM	23+	TO-252-3 (DPAK)	5000	原装现货支持送检	询价
深圳市中联芯电子有限公司	STD11N65M2	ST	24+	TO-252	40000	只做原装有挂有货假一赔十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STD11N65M2	ST(意法半导体)	24+	TO-252	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	STD11N65M2	ST/意法	21+	NA	17500	只做原装,假一罚十	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	STD11N65M2	STMicroelectronics	21+	DPAK	2500	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!	询价
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更多STD11N65M2供应商更新时间2025-5-6 17:26:00

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