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STD16N65M2	文件：944.46 Kbytes Page：17 Pages	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF16N65M2	文件：786.63 Kbytes Page：13 Pages	Zener-protected	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFU16N65M2	文件：646.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channel650V,0.32typ.,11AMDmeshTMM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100avalanchetested Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingMDmesh™M2technology. Thankstoitsstriplayoutandanimprovedvertical structure,thedevi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL16N65M2	文件：947.95 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.325??typ.,7.5AMDmeshM2PowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16N65M2	文件：304.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP16N65M2	文件：824.02 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.32??typ.,11AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics,rendering themsuitableforthemostdemandinghigh effic	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU16N65M2	文件：824.02 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.32??typ.,11AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics,rendering themsuitableforthemostdemandinghigh effic	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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