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STD12NF06LT4

Marking:D12NF06L;Package:DPAK;N-channel 60 V, 70 mΩ typ., 12 A, StripFET™ II Power MOSFET in a DPAK package

Features Exceptionaldv/dtcapability 100avalanchetested Lowgatecharge Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETserieshasbeendevelopedusingSTMicroelectronics'unique STripFET™process,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitance andg

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STD12NF06LT4

N-channel 60V - 0.08??- 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STD12NF06LT4

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD12NF06LT4

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

STD12NF06LT4_V01

N-channel 60 V, 70 mΩ typ., 12 A, StripFET™ II Power MOSFET in a DPAK package

Features Exceptionaldv/dtcapability 100avalanchetested Lowgatecharge Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETserieshasbeendevelopedusingSTMicroelectronics'unique STripFET™process,whichisspecificallydesignedtominimizeinputcapacitance andg

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

  • 型号:

    STD12NF06LT4

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
23+
TO252
6996
只做原装正品现货
询价
ST/意法
24+
TO-252
5
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ST(意法半导体)
24+
TO-252-2
10000
只做原装现货 假一赔万
询价
FUJITSU/富士通
2021+
PLCC
9000
全新原装正品 现货供应
询价
2019
TO252
26500
原装正品钻石品质假一赔十
询价
ST
23+
TO-252
29600
一级分销商!
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STM
23+
TO-252-3 (DPAK)
2500
原装现货支持送检
询价
ST(意法)
2023
10000
全新、原装
询价
ST/意法
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
ST/意法
21+
TO-252-3
60000
绝对原装正品现货,假一罚十
询价
更多STD12NF06LT4供应商 更新时间2025-5-1 14:24:00