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STD13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD13NM60ND	文件：323.25 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28ohmtyp.,11AMDmeshIIPowerMOSFETinTO-220FP,I2PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAK,TO-220,IPAK,TO-247packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：1.07167 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF13NM60N	文件：313.02 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STF13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.32typ.,11A,FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inDPAK Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N-H	文件：791.51 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinTO-220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI13NM60N	文件：782.35 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.28廓,11AMDmesh??IIPowerMOSFETinI짼PAKFPpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD13NM60ND
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
功能描述：
STD13NM60ND Series N-Channel 600 V 0.38 Ohm SMT FDmesh II Power Mosfet - DPAK
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

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