TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type

Power Management Switch High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 450 mΩ (max) (VGS = −10 V) : Ron = 800 mΩ (max) (VGS = −4 V)

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TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

东芝

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power Management Switch

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东芝

Power Management Switch

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TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type

Toshiba

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