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SSM6N15FE	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications •Smallpackage •LowONresistance:Ron=4.0Ω(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0Ω(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T6N15CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
SSM6N15FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
High Speed Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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