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SSM6J213FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○ Power Management Switch Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 250 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 178 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 133 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

文件:226.76 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6J213FE

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 Drain current ID -2.6 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;

Toshiba

东芝

SSM6J402TU(TE85L,F)

SOT23-6

SSM6K504NU

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-8

  • ID(A):

    -2.6

  • PD(W):

    0.5

  • Ciss(pF):

    290

  • Qg(nC):

    4.7

  • =1.5V:

    0.25

  • =1.8V:

    0.178

  • =2.5V:

    0.133

  • =4.5V:

    0.103

  • Number of pins:

    6

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    ES6

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm^2):

    2.56

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6J213FE供应商 更新时间2025-11-30 16:36:00