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SSM6J213FE

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Page：6 Pages

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications •1.5-Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=250mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=178mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=133mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM6J213FE
功能描述：
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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