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SSM6J213FE中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6J213FE
厂商型号

SSM6J213FE

功能描述

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

文件大小

226.76 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:10:00

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SSM6J213FE规格书详情

○ Power Management Switch Applications

• 1.5-V drive

• Low ON-resistance: RDS(ON) = 250 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 178 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 133 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品属性

  • 型号:

    SSM6J213FE

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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