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详细参数

  • 型号:

    SSM6N55NU,LF

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
23+
DFN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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TOSHIBA(东芝)
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TOSHIBA(东芝)
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500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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全新原装正品现货,支持订货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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更多SSM6N55NU,LF供应商 更新时间2025-11-1 9:30:00