Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity：P-ch×2\nGeneration：U-MOSⅢ\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM3J36MFV\nComponent Product (Q2)：SSM3J36MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current (Q1) ID -0.33 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V \nDrain current (Q2) ID -0.33 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V \nPower Dissipation PD 0.15 W ;

Toshiba

东芝

Power Management Switches

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TOSHIBA

东芝

Power Management Switches

○ Power Management Switches • 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 Ω (max) (

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TOSHIBA

东芝

SUPER超致
TO-220

SUPER超致

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