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SSM6P36FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM6P36FE

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:31:00

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SSM6P36FE规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch×2
Generation:U-MOSⅢ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3J36MFV
Component Product (Q2):SSM3J36MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current (Q1) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 0.15 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6P36FE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch x 2

  • VDSS(V)

    :-20

  • ID(A)

    :-0.33

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :1.31

  • Qg(nC)

    :1.2

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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