SSM6P36FE数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6P36FE规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch×2
Generation：U-MOSⅢ
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3J36MFV
Component Product (Q2)：SSM3J36MFV
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6P36FE
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name(Toshiba)
：ES6
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：P-ch x 2
- VDSS(V)
：-20
- ID(A)
：-0.33
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：1.31
- Qg(nC)
：1.2
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
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ES6 |
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TOSHIBA东芝 |
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SOT563 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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SOT-563 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
ES6 |
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TOSHIBA东芝 |
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SOT563 |
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TOSHIBA/东芝 |
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