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SSM6N7002CFU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6N7002CFU规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Generation：U-MOSⅦ-H
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3K7002CFU
Component Product (Q2)：SSM3K7002CFU
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.17 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +20/-20 V
Drain current (Q2) ID 0.17 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +20/-20 V
Power Dissipation PD 0.285 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6N7002CFU
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：60
- VGSS(V)
：+20/-20
- ID(A)
：0.17
- PD(W)
：0.285
- Ciss(pF)
：11
- Qg(nC)
：0.27
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：4.7
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：3.9
- Number of pins
：6
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：US6
- Generation
：U-MOSⅦ-H
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.1 x 0.9
- Package Size(mm^2)
：4.20
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA |
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SOT363 |
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TOSHIBA |
24+ |
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TOSHIBA(东芝) |
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TOSHIBA(东芝) |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
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TOSHIBA |
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SOT-363 |
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TOSHIBA/东芝 |
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