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SSM6N36FE数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6N36FE

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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SSM6N36FE规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch×2
Generation:U-MOSⅢ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3K36MFV
Component Product (Q2):SSM3K36MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.5 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V
Drain current (Q2) ID 0.5 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-10 V
Power Dissipation PD 0.15 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6N36FE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :N-ch x 2

  • VDSS(V)

    :20

  • ID(A)

    :0.5

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.85

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.66

  • Qg(nC)

    :1.23

  • Tch(℃)

    :150

  • Type

    :Built-in Active Clamp Zener

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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