SSM6L36FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6L36FE规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch + P-ch
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3K36MFV
Component Product (Q2)：SSM3J36MFV
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.5 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V
Drain current (Q2) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6L36FE
- 生产厂家
：Toshiba
- Polality
：N-ch + P-ch
- VDSS(V)
：20/-20
- VGSS(V)
：+/-10
- ID:Q1(A)
：0.5
- ID:Q2(A)
：-0.33
- PD(W)
：0.15
- Ciss:Q1(pF)Typ.
：46
- Ciss:Q2(pF)Typ.
：43
- Qg:Q1(nC)Typ.
：1.23
- Qg:Q2(nC)Typ.
：1.2
- RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
：0.85
- RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax
：0.66
- RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
：1.31
- Number of pins
：6
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：ES6
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Generation
：U-MOSⅢ/U-MOSⅢ
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- Package Size(mm2)
：2.56
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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