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SSM6L14FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM6L14FE

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-3 10:30:00

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SSM6L14FE规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch + P-ch
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM6N42FE
Component Product (Q2):SSM6P41FE
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.8 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V
Drain current (Q2) ID -0.72 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-10 V
Power Dissipation PD 0.15 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6L14FE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polality

    :N-ch + P-ch

  • VDSS(V)

    :20/-20

  • VGSS(V)

    :+/-10

  • ID:Q1(A)

    :0.8

  • ID:Q2(A)

    :-0.72

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss:Q1(pF)Typ.

    :90

  • Ciss:Q2(pF)Typ.

    :110

  • Qg:Q1(nC)Typ.

    :2.0

  • Qg:Q2(nC)Typ.

    :1.76

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax

    :0.33

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax

    :0.24

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax

    :0.44

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax

    :0.3

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Generation

    :U-MOSⅢ/U-MOSⅤ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm2)

    :2.56

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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