SSM6L35FE数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6L35FE规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch + P-ch
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3K35MFV
Component Product (Q2):SSM3J35MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.18 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V
Drain current (Q2) ID -0.1 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
:SSM6L35FE
- 生产厂家
:Toshiba
- Polality
:N-ch + P-ch
- VDSS(V)
:20/-20
- VGSS(V)
:+/-10
- ID:Q1(A)
:0.18
- ID:Q2(A)
:-0.1
- PD(W)
:0.15
- Ciss:Q1(pF)Typ.
:9.5
- Ciss:Q2(pF)Typ.
:12.2
- RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
:4.0
- RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
:11
- Number of pins
:6
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:ES6
- AEC-Q101
:Qualified(*)
- Generation
:π-MOSⅥ/π-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
:1.6 x 1.6 x 0.55
- Package Size(mm2)
:2.56
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
880000 |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
ES6(1.6x1.6) |
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TOSHIBA |
100 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
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TOSHIBA |
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