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SSM6L35FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current (Q1) ID 0.18 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V \nDrain current (Q2) ID -0.1 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V \nPower Dissipation PD 0.15 W \n; Polarity：N-ch + P-ch\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM3K35MFV\nComponent Product (Q2)：SSM3J35MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
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SSM6L35FE

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Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current (Q1) ID 0.18 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V \nDrain current (Q2) ID -0.1 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V \nPower Dissipation PD 0.15 W \n;

Polarity：N-ch + P-ch\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM3K35MFV\nComponent Product (Q2)：SSM3J35MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国\n

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SSM6L35FE

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技术参数

Polality：
N-ch + P-ch
VDSS(V)：
20/-20
VGSS(V)：
+/-10
ID：
Q1(A)
ID：
Q2(A)
PD(W)：
0.15
Ciss：
Q1(pF)Typ.
Ciss：
Q2(pF)Typ.
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
ES6
AEC-Q101：
Qualified(*)
Generation：
π-MOSⅥ/π-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Package Size(mm2)：
2.56
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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