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SSM6K361NU数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6K361NU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SSM6K361NU规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current ID 3.5 A
Power Dissipation PD 1.25 W
Drain-Source voltage VDSS 100 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6K361NU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :100

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :3.5

  • PD(W)

    :1.25

  • Ciss(pF)

    :430

  • Qg(nC)

    :3.2

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.092

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.069

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :UDFN6B

  • Generation

    :U-MOSⅧ-H

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.0 x 0.75

  • Package Size(mm^2)

    :4.00

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

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