SSM6N40TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6N40TU规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Generation：U-MOSⅢ
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM6N40TU
Component Product (Q2)：SSM6N40TU
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 1.6 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V
Drain current (Q2) ID 1.6 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V
Power Dissipation PD 0.5 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6N40TU
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name(Toshiba)
：UF6
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.1 x 0.7
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：30
- ID(A)
：1.6
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.122
- Qg(nC)
：5.1
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XTW |
24+ |
QFN |
30685 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
新年份 |
UF6 |
42590 |
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TOSHIBA |
原厂封装 |
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询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
UF6 |
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TOSHIBA |
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UF6 |
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询价 | ||
TOS |
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SOT363 |
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TOSHIBA |
10 |
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TOSHIBA |
24+ |
con |
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TOSHIBA/东芝 |
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UF6 |
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TOSHIBA |
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SOT363 |
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询价 |
