SSM6N61NU数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6N61NU规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Generation：U-MOSⅦ-H
Internal Connection：Independent
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 1 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6N61NU
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name(Toshiba)
：UDFN6
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.0 x 0.75
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：20
- ID(A)
：4.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.045
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.033
- Qg(nC)
：3.6
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
1930+ |
UDFN-6 |
124000 |
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TOSHIBA |
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UDFN-6 |
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原厂原装正品 |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
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TOSHIBA/东芝 |
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UDFN-6 |
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TOSHIBA |
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UDFN-6 |
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