SSM6N58NU数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6N58NU规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Generation：U-MOSⅦ-H
Internal Connection：Independent
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-12 V
Drain current (Q2) ID 4 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-12 V
Power Dissipation PD 1 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6N58NU
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：30
- VGSS(V)
：+/-12
- ID(A)
：4.0
- PD(W)
：1.0
- Ciss(pF)
：129
- Qg(nC)
：1.8
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：0.18
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.117
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.084
- Number of pins
：6
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：UDFN6
- Generation
：U-MOSⅦ-H
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.0 x 0.75
- Package Size(mm^2)
：4.00
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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17ROHS |
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TOSHIBA/东芝 |
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UDFN6 |
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TOSHIBA |
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UDFN6 |
200000 |
询价 |
