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SSM6N42FE数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6N42FE

功能描述

Small-signal MOSFET 2 in 1

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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SSM6N42FE规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch×2
Generation:π-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.8 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V
Drain current (Q2) ID 0.8 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6N42FE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Product Category

    :Small-signal MOSFET 2 in 1

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

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    :SSM6N56FE(Package and characteristics are almost same)

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