SSM6N42FE数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM6N42FE规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch×2
Generation:π-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.8 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V
Drain current (Q2) ID 0.8 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM6N42FE
- 生产厂家
:Toshiba
- Product Category
:Small-signal MOSFET 2 in 1
- Package name(Toshiba)
:ES6
- Recommended Product 1
:SSM6N56FE(Package and characteristics are almost same)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
4000 |
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TOSHIBA/东芝 |
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ES6 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
ES6 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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ES6 |
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原装正品现货 |
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Toshiba |
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ES6 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
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TOSHIBA |
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SOT-666 |
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