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SSM6N42FE	文件：194.39 Kbytes Page：6 Pages	Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •N-ch2-in-1 •LowON-resistance:RDS(ON)=600mΩ(max)(@VGS=1.5V) :RDS(ON)=450mΩ(max)(@VGS=1.8V) :RDS(ON)=330mΩ(max)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N42FE	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM6N42FE

文件：194.39 Kbytes

Page：6 Pages

Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •N-ch2-in-1 •LowON-resistance:RDS(ON)=600mΩ(max)(@VGS=1.5V) :RDS(ON)=450mΩ(max)(@VGS=1.8V) :RDS(ON)=330mΩ(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM6N42FE

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM6N42FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

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更多SSM6N42FE供应商更新时间2025-5-29 11:14:00

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