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SSM6N61NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current (Q1) ID 4 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V \nDrain current (Q2) ID 4 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V \nPower Dissipation PD 1 W \n; Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
SSM6N61NU	文件：345.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN6；Package：UDFN6；Power Management Switches	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM6N61NU

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current (Q1) ID 4 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V \nDrain current (Q2) ID 4 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V \nPower Dissipation PD 1 W \n;

Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

SSM6N61NU

文件：345.58 Kbytes

Page：8 Pages

丝印：NN6；Package：UDFN6；Power Management Switches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

技术参数

Package name(Toshiba)：
UDFN6
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch x 2
VDSS(V)：
20
ID(A)：
4.0
=2.5V：
0.045
=4.5V：
0.033
Qg(nC)：
3.6
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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