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SSM6N7002BFE数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6N7002BFE

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:31:00

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SSM6N7002BFE规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch×2
Generation:U-MOSⅣ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3K7002BF
Component Product (Q2):SSM3K7002BF
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.2 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS ±20 V
Drain current (Q2) ID 0.2 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS ±20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6N7002BFE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch x 2

  • VDSS(V)

    :60

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :0.2

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss(pF)

    :17

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :3.3

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :2.1

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Generation

    :U-MOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm^2)

    :2.56

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

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