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SSM6N7002BFE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅣ\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM3K7002BF\nComponent Product (Q2)：SSM3K7002BF\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current (Q1) ID 0.2 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 60 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS ±20 V \nDrain current (Q2) ID 0.2 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 60 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS ±20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6N7002BFE	文件：185.03 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications 文件：185.03 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N7002BFU	文件：186.52 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications 文件：186.52 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N7002BFU	文件：945.67 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：945.67 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM6N7002CFU	文件：215.86 Kbytes Page：8 Pages	High-Speed Switching 文件：215.86 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多SSM6N7002BFE供应商更新时间2025-10-11 17:47:00