SSM6P15FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6P15FE规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch×2
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3J15FU
Component Product (Q2)：SSM3J15FU
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current (Q1) ID -0.1 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V
Drain current (Q2) ID -0.1 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -30 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6P15FE
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name(Toshiba)
：ES6
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：P-ch x 2
- VDSS(V)
：-30
- ID(A)
：-0.1
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：32
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
ES6 |
9980 |
只有原装 支持实单 |
询价 | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
ES6(1.6x1.6) |
38550 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
433 |
询价 | |||||
TOSHIBA |
24+ |
con |
433 |
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TOSHIBA/东芝 |
20+ |
ES6 |
89680 |
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TOSHIBA(东芝) |
2447 |
ES6 |
105000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
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SOT236 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-363 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
ES6 |
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TOSHIBA/东芝 |
ES6 |
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