SSM6P35FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6P35FE规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch×2
Internal Connection：Independent
Component Product (Q1)：SSM3J35MFV
Component Product (Q2)：SSM3J35MFV
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID -0.1 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS ±10 V
Drain current (Q2) ID -0.1 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS ±10 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM6P35FE
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name(Toshiba)
：ES6
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：P-ch x 2
- VDSS(V)
：-20
- ID(A)
：-0.1
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
：44
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：11
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
ES6 |
89680 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
ES6 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
ES61.6x1.6 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
TOSHIBA |
20+ |
SOT-563 |
16750 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
18+19+ |
SOT-563 |
430000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
22+ |
SOT563 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
TOSHIBA |
21+ |
SOT-563 |
430000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-563 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-563 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
ES6 |
44590 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
