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SSM6P35AFE数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6P35AFE

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:40:00

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SSM6P35AFE规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch×2
Generation:U-MOSⅦ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3J35AMFV
Component Product (Q2):SSM3J35AMFV
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current (Q1) ID -0.25 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V
Drain current (Q2) ID -0.25 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-10 V
Power Dissipation PD 0.25 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6P35AFE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch x 2

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-10

  • ID(A)

    :-0.25

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss(pF)

    :21

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V

    :20

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :4.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :2.9

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :2.1

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :1.4

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Generation

    :U-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm^2)

    :2.56

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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