High Speed Switching Applications Analog Switch Applications

文件：125.84 Kbytes 页数：5 Pages

TOSHIBA

东芝

High Speed Switching Applications

文件：140.98 Kbytes 页数：5 Pages

TOSHIBA

东芝

Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：945.79 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

High Speed Switching Applications

文件：140.98 Kbytes 页数：5 Pages

TOSHIBA

东芝

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity：N-ch×2\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM3K17FU\nComponent Product (Q2)：SSM3K17FU\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current (Q1) ID 0.1 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 50 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-7 V \nDrain current (Q2) ID 0.1 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 50 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-7 V \nPower Dissipation PD 0.2 W ;

Toshiba

东芝