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FQB6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •6.4A,150V,RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical6.5nC) •LowCrss(typical9.6pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •6.4A,150V,RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical6.5nC) •LowCrss(typical9.6pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP6N15	文件：748.71 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP6N15	文件：295.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF6N15	文件：744.48 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU6N15	文件：330.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD6N15	文件：345.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD6N15	文件：231.95 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES150VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSp	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD6N15	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD6N15I	文件：359.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD6N15	文件：1.66479 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SSM6N15AFE	文件：173.2 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N15AFU	文件：197.54 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FE	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications •Smallpackage •LowONresistance:Ron=4.0Ω(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0Ω(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UF6N15Z	文件：144.99 Kbytes Page：3 Pages	6A,150VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
SSM6N15AFE,LM
功能描述：
MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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