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SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications •Smallpackage •LowONresistance:Ron=4.0Ω(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0Ω(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T6N15CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
SSM6N15AFE,LM
功能描述：
MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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